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IXFN520N075T2
MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN520N075T2
Código de encomenda3771785
Gama de produtosTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Ficha técnica
269 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 33,420 € |
| 5+ | 29,070 € |
| 10+ | 24,720 € |
| 25+ | 23,260 € |
| 100+ | 21,810 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
33,42 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN520N075T2
Código de encomenda3771785
Gama de produtosTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id480A
Drain Source Voltage Vds75V
Drain Source On State Resistance0.0015ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-227
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation940W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeTrench T2 GigaMOS HiperFET Series
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
940W
No. of Pins
4Pins
Product Range
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
Continuous Drain Current Id
480A
Drain Source On State Resistance
0.0015ohm
Transistor Case Style
SOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.044725
Rastreabilidade de produtos