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GAN140-650EBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Surface Mount
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 3,940 € |
| 500+ | 3,340 € |
| 1000+ | 3,090 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
399,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteGAN140-650EBEZ
Código de encomenda4198480RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.106ohm
Typical Gate Charge3.5nC
Transistor Case StyleDFN8080
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.106ohm
Transistor Case Style
DFN8080
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
17A
Typical Gate Charge
3.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000012
Rastreabilidade de produtos