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GAN7R0-150LBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Surface Mount
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 2,870 € |
| 10+ | 2,540 € |
| 100+ | 2,050 € |
| 500+ | 1,830 € |
| 1000+ | 1,570 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
2,87 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteGAN7R0-150LBEZ
Código de encomenda4198484
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.0056ohm
Typical Gate Charge7.6nC
Transistor Case StyleFCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0056ohm
Transistor Case Style
FCLGA
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
28A
Typical Gate Charge
7.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000833
Rastreabilidade de produtos