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GANE3R9-150QBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Surface Mount
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| Quantidade | |
|---|---|
| 10+ | 6,290 € |
| 50+ | 5,700 € |
| 100+ | 5,240 € |
| 250+ | 4,930 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 10
Vários: 1
62,90 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteGANE3R9-150QBAZ
Código de encomenda4414367RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Typical Gate Charge20nC
No. of Pins25Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
No. of Pins
25Pins
Continuous Drain Current Id
100A
Typical Gate Charge
20nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos