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Quantidade | |
---|---|
1000+ | 3,510 € |
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Mínimo: 1000
Vários: 1000
3.510,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteAFT09MS015NT1
Código de encomenda2776264
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds40VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation125W
Operating Frequency Min136MHz
Operating Frequency Max941MHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
- RF power LDMOS transistor
- Characterized for operation from 136 to 941MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Exceptional thermal performance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
Avisos
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Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
40VDC
Power Dissipation
125W
Operating Frequency Max
941MHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
136MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0003
Rastreabilidade de produtos