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BF511,215
RF FET Transistor, 20 V, 7 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteBF511,215
Código de encomenda1758054RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id7mA
Power Dissipation250mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-236AB (SOT-23)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
20V
Power Dissipation
250mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
7mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-236AB (SOT-23)
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000006