Imprimir página
MHT1008NT1
RF FET Transistor, 65 V, 48.1 W, 2.4 GHz, 2.5 GHz, PLD-1.5W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMHT1008NT1
Código de encomenda3370099RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation48.1W
Operating Frequency Min2.4GHz
Operating Frequency Max2.5GHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Descrição geral do produto
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
48.1W
Operating Frequency Max
2.5GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
2.4GHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.036
Rastreabilidade de produtos