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MRFE6VS25NR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFE6VS25NR1
Código de encomenda2776252RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max2000MHz
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max225°C
Product Range-
Descrição geral do produto
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2000MHz
Operating Temperature Max
225°C
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0003
Rastreabilidade de produtos