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MRFX1K80GNR5
RF FET Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 202,650 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteMRFX1K80GNR5
Código de encomenda2985307RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds179V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation3.333kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max400MHz
Transistor Case StyleOM-1230G
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
179V
Power Dissipation
3.333kW
Operating Frequency Max
400MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
OM-1230G
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00025
Rastreabilidade de produtos