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Quantidade | |
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100+ | 0,620 € |
500+ | 0,449 € |
1000+ | 0,420 € |
5000+ | 0,371 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBDX53CG
Código de encomenda9557750
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd65W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The BDX53CG is a NPN bipolar medium-power Darlington Transistor designed for general purpose and low speed switching applications.
- Complementary device
- Monolithic construction with built-in base emitter shunt resistors
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
65W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
750hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentação técnica (3)
Alternativas para BDX53CG
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001814
Rastreabilidade de produtos