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NTH4L080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L080N120SC1
Código de encomenda3464005
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
310 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 10,950 € |
| 5+ | 10,170 € |
| 10+ | 9,390 € |
| 50+ | 8,870 € |
| 100+ | 8,340 € |
| 250+ | 7,820 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
10,95 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L080N120SC1
Código de encomenda3464005
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.75V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.75V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
170W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos