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NTHL040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTHL040N120SC1
Código de encomenda3464007
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
105 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 18,530 € |
| 5+ | 18,220 € |
| 10+ | 17,910 € |
| 50+ | 12,680 € |
| 100+ | 12,440 € |
| 250+ | 12,190 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
18,53 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTHL040N120SC1
Código de encomenda3464007
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.97V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.97V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos