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QSD123
Phototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 3/4 (5mm)
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteQSD123
Código de encomenda2453252
Ficha técnica
Wavelength Typ880nm
Viewing Angle24°
Power Consumption100mW
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The QSD123 is a NPN Silicon Infrared Phototransistor is suitable for QED12X/QED22X/QED23X notched emitter. It has 24° narrow reception angle and a daylight filter. Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
- High sensitivity
Aplicações
LED Lighting
Especificações Técnicas
Wavelength Typ
880nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Viewing Angle
24°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000284
Rastreabilidade de produtos