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QSE113
Phototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, Radial Leaded
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,858 € |
| 10+ | 0,598 € |
| 25+ | 0,545 € |
| 50+ | 0,493 € |
| 100+ | 0,440 € |
| 500+ | 0,377 € |
Unidades por pacoteEach
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteQSE113
Código de encomenda1021147
Ficha técnica
Wavelength Typ880nm
Viewing Angle25°
Power Consumption100mW
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleRadial Leaded
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The QSE113 is a NPN silicon infrared phototransistor encapsulated in black plastic sidelooker package.
- Daylight filter
- High sensitivity
- Blue dot marking on the top side
- Power dissipation of 100mW
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
- Peak sensitivity of 880nm
Especificações Técnicas
Wavelength Typ
880nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
Radial Leaded
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000159
Rastreabilidade de produtos