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FDMD8560L
Dual MOSFET, PowerTrench, N Channel, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMD8560L
Código de encomenda2610668RL
Gama de produtosPowerTrench Series
Ficha técnica
4.367 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 2,070 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,650 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDMD8560L
Código de encomenda2610668RL
Gama de produtosPowerTrench Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel93A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
Descrição geral do produto
FDMD8560L is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Application includes synchronous buck primary switch of half / full bridge converter for telecom, motor bridge primary switch of half / full bridge converter for BLDC motor, MV POL 48V synchronous buck switch, and half/full bridge secondary synchronous rectification.
- Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
- 100% UIL tested, kelvin high side MOSFET drive Pin-out capability
- Static drain to source on resistance is 2.5mohm (typ, VGS = 10V, ID = 22A, Q1)
- Drain to source voltage is 60V (Q1, Q2, typ, TA = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 1.0V (typ, Q1, Q2, VGS = VDS, ID = 250µA)
- Power dissipation is 48W (typ, Q1, Q2, TC = 25°C)
- Rise time is 15ns (typ, Q1, Q2, VDD = 30V, ID = 22A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Reverse recovery time is 53ns (Q1, Q2, IF = 22A, di/dt = 100A/μs, typ)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C, power 5 x 6 package
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
PowerTrench Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
93A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0025ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000254
Rastreabilidade de produtos