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FGA30T65SHD
IGBT, Field Stop Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pins
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| Quantidade | |
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| 10+ | 3,280 € |
| 100+ | 2,960 € |
| 500+ | 2,510 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFGA30T65SHD
Código de encomenda2781482
Ficha técnica
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation238W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3PN
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
238W
Transistor Case Style
TO-3PN
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001