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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG020N090SC1
Código de encomenda4130208
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 19 semana(s)
Portes de Envio: 18,00 € por cada encomenda. Entrega em 3 dias úteis para os itens em stock.
Quantidade | |
---|---|
1+ | 25,390 € |
10+ | 20,580 € |
25+ | 20,250 € |
50+ | 19,930 € |
100+ | 17,710 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 1
Vários: 1
25,39 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG020N090SC1
Código de encomenda4130208
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation477W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
477W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.008309
Rastreabilidade de produtos