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TP65H100G4LSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Surface Mount
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 3,280 € |
| 500+ | 2,900 € |
| 1000+ | 2,520 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 150
Vários: 1
492,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H100G4LSGB-TR
Código de encomenda4680951RL
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18.9A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Typical Gate Charge14.4nC
No. of Pins8Pins
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
18.9A
Typical Gate Charge
14.4nC
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001