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BDX33C
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,160 € |
| 10+ | 0,805 € |
| 100+ | 0,524 € |
| 500+ | 0,426 € |
| 1000+ | 0,374 € |
| 5000+ | 0,313 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteBDX33C
Código de encomenda9946489
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd70W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The BDX33C is a NPN complementary silicon power Darlington Transistor with built-in epitaxial planar technology. Designed for use in power linear and switching applications.
- Complement to BDX34C
- 0.25A Base current
Aplicações
Audio, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
70W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
750hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BDX33C
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002