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100+ | 0,442 € |
500+ | 0,365 € |
1000+ | 0,313 € |
5000+ | 0,252 € |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteMJD127T4
Código de encomenda1703977
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The MJD127T4 is a PNP complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
Aplicações
Industrial, Power Management
Avisos
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Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para MJD127T4
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00045
Rastreabilidade de produtos