Imprimir página
PD55003-E
RF FET Transistor, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricantePD55003-E
Código de encomenda2341739
Ficha técnica
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 19 semana(s)
Contactem-me quando voltar a existir em stock
| Quantidade | |
|---|---|
| 400+ | 6,590 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 400
Vários: 400
2.636,00 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricantePD55003-E
Código de encomenda2341739
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2.5A
Power Dissipation31.7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The PD55003-E is a N-channel RF Power Transistor designed for high gain, broad band applications. It operates at 12V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. It boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST's latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF. The superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- Enhancement-mode lateral field-effect transistor
Aplicações
Industrial, Commercial, Power Management
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
31.7W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001801
Rastreabilidade de produtos