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TP65H050G4YS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H050G4YS
Código de encomenda4371968
Gama de produtosSuperGaN Series
Ficha técnica
338 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 14,760 € |
| 5+ | 12,720 € |
| 10+ | 10,670 € |
| 50+ | 10,650 € |
| 100+ | 10,640 € |
| 250+ | 10,620 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
14,76 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H050G4YS
Código de encomenda4371968
Gama de produtosSuperGaN Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge16nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins4Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
35A
Typical Gate Charge
16nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001