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Quantidade | |
---|---|
1+ | 8,310 € |
5+ | 7,400 € |
10+ | 6,490 € |
50+ | 5,580 € |
100+ | 5,370 € |
250+ | 5,160 € |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ3N065080K3S
Código de encomenda4014284
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source Voltage Vds650V
Transistor Case StyleTO-247
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
Rds(on) Test Voltage2V
Gate Source Threshold Voltage Max11.5V
Product Range-
Power Dissipation190W
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
2V
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Gate Source Threshold Voltage Max
11.5V
Power Dissipation
190W
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0062