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Quantidade | |
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50+ | 0,303 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteCQY37N
Código de encomenda1045521
Ficha técnica
Peak Wavelength950nm
Angle of Half Intensity12°
Diode Case StyleT-3/4 (1.8mm)
Radiant Intensity (Ie)800mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)50mA
Forward Voltage VF Max1.3V
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
950nm infrared emitting diode in GaAs suitable for use in radiation source in near infrared range.
- Leaded package type
- T-¾ package form
- High reliability
- Angle of half intensity of ±12°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Package matches with detector BPW17N
Especificações Técnicas
Peak Wavelength
950nm
Diode Case Style
T-3/4 (1.8mm)
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
50mA
Operating Temperature Min
-25°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
12°
Radiant Intensity (Ie)
800mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.3V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000111
Rastreabilidade de produtos