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SI1922EDH-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,562 € |
| 10+ | 0,361 € |
| 100+ | 0,243 € |
| 500+ | 0,189 € |
| 1000+ | 0,163 € |
| 5000+ | 0,126 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
2,81 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI1922EDH-T1-GE3
Código de encomenda2056714
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.165ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
- Halogen-free
- ESD protected device
Aplicações
Industrial, Portable Devices, Power Management
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.165ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.165ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI1922EDH-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000073
Rastreabilidade de produtos