Imprimir página
SI7252DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
26.189 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 dias úteis
Encomendas efetuadas antes das 17h00 com envio padrão
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 2,570 € |
| 10+ | 1,760 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 0,950 € |
| 1000+ | 0,875 € |
| 5000+ | 0,791 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
2,57 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7252DP-T1-GE3
Código de encomenda2364060
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel36.7A
Continuous Drain Current Id P Channel36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Dual N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in primary side switching, synchronous rectification and DC/AC inverters.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7252DP-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos