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SIZ980BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZ980BDT-T1-GE3
Código de encomenda3368951RL
Gama de produtosTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Ficha técnica
11.794 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,910 € |
| 500+ | 0,666 € |
| 1000+ | 0,603 € |
| 5000+ | 0,523 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
96,00 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIZ980BDT-T1-GE3
Código de encomenda3368951RL
Gama de produtosTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id197A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel197A
Continuous Drain Current Id P Channel197A
Drain Source On State Resistance N Channel817µohm
Drain Source On State Resistance P Channel817µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel66W
Power Dissipation P Channel66W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
197A
Drain Source On State Resistance P Channel
817µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
66W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
197A
Continuous Drain Current Id N Channel
197A
Drain Source On State Resistance N Channel
817µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIZ980BDT-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos