Imprimir página
SQ4532AEY-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4532AEY-T1_GE3
Código de encomenda3470717
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
6.839 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 dias úteis
Encomendas efetuadas antes das 17h00 com envio padrão
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,735 € |
| 10+ | 0,526 € |
| 100+ | 0,415 € |
| 500+ | 0,370 € |
| 1000+ | 0,364 € |
| 5000+ | 0,357 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
0,74 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ4532AEY-T1_GE3
Código de encomenda3470717
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7.3A
Continuous Drain Current Id P Channel7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.3W
Power Dissipation P Channel3.3W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.3W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos