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TSTS7100
Infrared Emitter, Hermetically Sealed, 950 nm, 5 °, TO-18, 800 mW/Sr, 800 ns
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| 50+ | 2,080 € |
| 100+ | 1,930 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteTSTS7100
Código de encomenda1652535
Ficha técnica
Peak Wavelength950nm
Angle of Half Intensity5°
Diode Case StyleTO-18
Radiant Intensity (Ie)800mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.3V
Operating Temperature Min-
Operating Temperature Max-
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
950nm emitting diode in GaAs technology in a hermetically sealed package suitable for use in radiation source in near infrared range.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ϕ = ±5°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Peak Wavelength
950nm
Diode Case Style
TO-18
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
5°
Radiant Intensity (Ie)
800mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.3V
Operating Temperature Max
-
Product Range
-
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
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Tarifa N.º:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000334
Rastreabilidade de produtos