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VS-FC420SA10
MOSFET Transistor, N Channel, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V, SOT-227
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-FC420SA10
Código de encomenda3513307
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
853 Em Stock
640 Pode reservar stock agora
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 23,760 € |
| 5+ | 22,220 € |
| 10+ | 20,680 € |
| 50+ | 19,130 € |
| 100+ | 17,590 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
23,76 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-FC420SA10
Código de encomenda3513307
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id435A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.00215ohm
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation652W
Power Dissipation Pd652W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
435A
Drain Source On State Resistance
0.00215ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
652W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation Pd
652W
Product Range
TrenchFET Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.04
Rastreabilidade de produtos