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R6006JNJGTL
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6 A, 0.936 ohm, TO-263S, Surface Mount
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| Quantidade | |
|---|---|
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6006JNJGTL
Código de encomenda3018855RL
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.936ohm
Transistor Case StyleTO-263S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation86W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-263S
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
86W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.936ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001