Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMHT10H032LFJ-13
Código de encomenda3589313
Ficha técnica
2.486 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 2,540 € |
| 10+ | 1,890 € |
| 100+ | 1,700 € |
| 500+ | 1,370 € |
| 1000+ | 1,290 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
2,54 € (sem IVA)
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMHT10H032LFJ-13
Código de encomenda3589313
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation900mW
Drain Source On State Resistance P Channel-
Power Dissipation Pd900mW
Transistor Case StyleDFN5045
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
DFN5045
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Rds(on) Test Voltage
10V
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Power Dissipation
900mW
Power Dissipation Pd
900mW
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000121