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G3R60MT07K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3R60MT07K
Código de encomenda4218049
Gama de produtosG3R Series
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 9,830 € |
| 5+ | 9,260 € |
| 10+ | 8,680 € |
| 50+ | 8,180 € |
| 100+ | 7,990 € |
| 250+ | 7,790 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3R60MT07K
Código de encomenda4218049
Gama de produtosG3R Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation127W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R Series
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Descrição geral do produto
G3R60MT07K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET in a 4 pin TO-247 package. Typical applications include solar (PV) inverters, server & telecom power supplies, Uninterruptible Power Supplies (UPS), EV / HEV charging, DC-DC converters, Switched Mode Power Supplies (SMPS), energy storage and battery charging and Class D amplifiers.
- G3R™ Technology for enhanced performance and reliability
- Softer RDS(ON) v/s temperature dependency for stable operation
- LoRing™ – Electromagnetically optimized design for reduced EMI
- Smaller RG(INT) and lower Qg for efficient switching
- Low device capacitances for faster response
- Superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR
- 100% avalanche (UIL) tested
- Low conduction losses at all temperatures, reduced ringing
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
127W
Product Range
G3R Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Switzerland
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Switzerland
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0062