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BFR193E6327HTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
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| Quantidade | |
|---|---|
| 15000+ | 0,102 € |
| 45000+ | 0,100 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 15000
Vários: 15000
1.530,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBFR193E6327HTSA1
Código de encomenda4318830
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation580mW
Continuous Collector Current80mA
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
80mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
580mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000145
Rastreabilidade de produtos