Imprimir página
BSG0812NDATMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 25 V, 50 A, 3500 µohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSG0812NDATMA1
Código de encomenda4344016
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
Também conhecido porSP001164324, BSG0812ND
Ficha técnica
4.936 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,310 € |
| 10+ | 1,150 € |
| 100+ | 0,952 € |
| 500+ | 0,853 € |
| 1000+ | 0,788 € |
| 5000+ | 0,735 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
1,31 € (sem IVA)
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSG0812NDATMA1
Código de encomenda4344016
Gama de produtosOptiMOS 5 Series
Também conhecido porSP001164324, BSG0812ND
Ficha técnica
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel50A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel3500µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel6.25W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
50A
Drain Source On State Resistance N Channel
3500µohm
Transistor Case Style
TISON
Power Dissipation N Channel
6.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos