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BSS84PH6327XTSA2
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS84PH6327XTSA2
Código de encomenda1056526
Gama de produtosSIPMOS Series
Também conhecido porBSS84P H6327, SP000929186
Ficha técnica
1.052.153 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 5+ | 0,200 € |
| 10+ | 0,0991 € |
| 100+ | 0,0734 € |
| 500+ | 0,0658 € |
| 1000+ | 0,0581 € |
| 5000+ | 0,0448 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
1,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSS84PH6327XTSA2
Código de encomenda1056526
Gama de produtosSIPMOS Series
Também conhecido porBSS84P H6327, SP000929186
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -170mA
- Power dissipation (pd) of 360mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SIPMOS Series
MSL
-
Documentação técnica (3)
Alternativas para BSS84PH6327XTSA2
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000033