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BSZ0909NDXTMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, 0.018 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ0909NDXTMA1
Código de encomenda2771840RL
Também conhecido porBSZ0909ND, SP001637282
Ficha técnica
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSZ0909NDXTMA1
Código de encomenda2771840RL
Também conhecido porBSZ0909ND, SP001637282
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWISON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel17W
Power Dissipation P Channel17W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Descrição geral do produto
The BSZ0909NDXTMA1 from Infineon is a dual N-channel OptiMOS™ MOSFET in 8 pin WISON package. The OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC to DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Low switching losses
- High switching frequency operation
- Lowest parasitics
- Low gate drive losses
- Drain source voltage VDS is 30V, maximum RDS(on) is 18mohm, continuous drain current ID is 20A
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Power dissipation is 17W at TC=25°C
Aplicações
Power Management, Industrial
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
17W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
20A
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
WISON
Power Dissipation N Channel
17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0003
Rastreabilidade de produtos