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| 10+ | 3,070 € |
| 25+ | 2,830 € |
| 50+ | 2,690 € |
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| 250+ | 2,320 € |
| 500+ | 2,240 € |
| 1000+ | 2,170 € |
Informação do produto
Descrição geral do produto
The BTS640S2G is a N-channel high-side vertical Power FET Switch with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback and proportional sense of load current, monolithically integrated in smart SIPMOS® technology. It provides embedded protective functions, under-voltage and overvoltage shutdown with auto-restart and hysteresis.
- Short-circuit protection
- Current limitation
- Proportional load current sense
- CMOS compatible input
- Open drain diagnostic output
- Fast demagnetization of inductive loads
- Overload protection
- Thermal shutdown
- Overvoltage protection including load dump
- Reverse battery protection
- Loss of ground and loss of VBB protection
- Electrostatic discharge (ESD) protection
- High voltage capability
- Benchmark energy robustness
Aplicações
Industrial, Computers & Computer Peripherals, Automotive
Avisos
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device. Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
High Side
34V
0.03ohm
7Pins
Active High
-40°C
AEC-Q100
MSL 3 - 168 hours
AEC-Q100
1Channels
24A
TO-263 (D2PAK)
Yes
1Outputs
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
TO-263 (D2PAK)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
RoHS
RoHS
Certificado de conformidade de produto