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FF06MR12A04MA2AKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 190 A, 1.2 kV, 5560 µohm, Module
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF06MR12A04MA2AKSA1
Código de encomenda4717051
Gama de produtosHybridPACK Series
Também conhecido porSP005558866, FF06MR12A04MA2
Ficha técnica
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF06MR12A04MA2AKSA1
Código de encomenda4717051
Gama de produtosHybridPACK Series
Também conhecido porSP005558866, FF06MR12A04MA2
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5560µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.55V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHybridPACK Series
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
190A
Drain Source On State Resistance
5560µohm
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.55V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
HybridPACK Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos