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FF3MR12KM1HHPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 190 A, 1.2 kV, 0.00444 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF3MR12KM1HHPSA1
Código de encomenda4531823
Gama de produtos62 mm C Series
Também conhecido porFF3MR12KM1H, SP005976718
Ficha técnica
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|---|---|
| 1+ | 347,700 € |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteFF3MR12KM1HHPSA1
Código de encomenda4531823
Gama de produtos62 mm C Series
Também conhecido porFF3MR12KM1H, SP005976718
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id190A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00444ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range62 mm C Series
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
190A
Drain Source On State Resistance
0.00444ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
62 mm C Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Hungary
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Hungary
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.34
Rastreabilidade de produtos