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IMBG120R060M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
2.625 Em Stock
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| 50+ | 5,180 € |
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| 250+ | 4,310 € |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG120R060M1HXTMA1
Código de encomenda3582463RL
Gama de produtosCoolSiC
Também conhecido porIMBG120R060M1H, SP004363744
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation181W
Power Dissipation Pd181W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
181W
Product Range
CoolSiC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
181W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0006
Rastreabilidade de produtos