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IMBG120R220M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
1.169 Em Stock
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|---|---|
| 1+ | 5,580 € |
| 10+ | 3,860 € |
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| 500+ | 2,860 € |
| 1000+ | 2,330 € |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG120R220M1HXTMA1
Código de encomenda3582466
Gama de produtosCoolSiC
Também conhecido porIMBG120R220M1H, SP004463796
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation83W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
13A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
83W
Product Range
CoolSiC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0006
Rastreabilidade de produtos