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IMBG40R045M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG40R045M2HXTMA1
Código de encomenda4538823
Gama de produtosCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Também conhecido porIMBG40R045M2H, SP006064680
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 6,680 € |
| 10+ | 4,890 € |
| 100+ | 3,960 € |
| 500+ | 3,540 € |
| 1000+ | 2,990 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
6,68 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG40R045M2HXTMA1
Código de encomenda4538823
Gama de produtosCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Também conhecido porIMBG40R045M2H, SP006064680
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0562ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
IMBG40R045M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 44.9mohm RDS(on), 43A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.0562ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos