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IMBG65R007M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R007M2HXTMA1
Código de encomenda4378732
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
Também conhecido porIMBG65R007M2H, SP005912570
Ficha técnica
723 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 25,070 € |
| 5+ | 22,450 € |
| 10+ | 19,830 € |
| 50+ | 19,190 € |
| 100+ | 18,550 € |
| 250+ | 18,180 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
25,07 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R007M2HXTMA1
Código de encomenda4378732
Gama de produtosCoolSiC G2 Series
Também conhecido porIMBG65R007M2H, SP005912570
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id238A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance6100µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation789W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
IMBG65R007M2HXTMA1 is a CoolSiC MOSFET in a 7 pin TO-263 package. Built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, the 650V CoolSiC™ MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfil the ever-growing system and market needs. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage and battery formation, UPS, EV charging infrastructure and motor drives.
- Ultra-low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn-on even with 0V turn-off gate voltage
- Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
- Robust body diode operation under hard commutation events
- Enables high efficiency and high power density designs
- Facilitates great ease of use and integration
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
238A
Drain Source On State Resistance
6100µohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
789W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001
Rastreabilidade de produtos