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IMBG65R083M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R083M1HXTMA1
Código de encomenda3928612RL
Gama de produtosCoolSiC M1 Trench Series
Também conhecido porSP005539181, IMBG65R083M1H
Ficha técnica
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 25 semana(s)
Contactem-me quando voltar a existir em stock
| Quantidade | |
|---|---|
| 10+ | 3,280 € |
| 100+ | 3,130 € |
| 500+ | 2,920 € |
| 1000+ | 2,790 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 10
Vários: 1
37,80 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMBG65R083M1HXTMA1
Código de encomenda3928612RL
Gama de produtosCoolSiC M1 Trench Series
Também conhecido porSP005539181, IMBG65R083M1H
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.083ohm
Drain Source On State Resistance0.083ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation126W
Power Dissipation Pd126W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
126W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.083ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
126W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documentação técnica (1)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001588
Rastreabilidade de produtos