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IMDQ65R007M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 196 A, 650 V, 0.061 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMDQ65R007M2HXUMA1
Código de encomenda4667117RL
Também conhecido porIMDQ65R007M2H, SP006051118
Ficha técnica
118 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 10+ | 22,720 € |
| 50+ | 21,300 € |
| 100+ | 19,880 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 10
Vários: 1
232,20 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMDQ65R007M2HXUMA1
Código de encomenda4667117RL
Também conhecido porIMDQ65R007M2H, SP006051118
Ficha técnica
Continuous Drain Current Id196A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.061ohm
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation937W
Operating Temperature Max175°C
Especificações Técnicas
Continuous Drain Current Id
196A
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
937W
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos