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IMT40R036M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMT40R036M2HXTMA1
Código de encomenda4538827
Gama de produtosCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Também conhecido porIMT40R036M2H, SP005976275
Ficha técnica
1.944 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 7,670 € |
| 5+ | 6,630 € |
| 10+ | 5,580 € |
| 50+ | 5,120 € |
| 100+ | 4,650 € |
| 250+ | 4,560 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
7,67 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMT40R036M2HXTMA1
Código de encomenda4538827
Gama de produtosCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Também conhecido porIMT40R036M2H, SP005976275
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0457ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
IMT40R036M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 8 pin HSOF package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 36.4mohm RDS(on), 50A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0457ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos