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S29GL01GT10FHI010
Flash Memory, MirrorBit Eclipse Architecture, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteS29GL01GT10FHI010
Código de encomenda2768058
Gama de produtos3V Parallel NOR Flash Memories
Também conhecido porSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Ficha técnica
1.274 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 13,570 € |
| 10+ | 12,240 € |
| 25+ | 10,630 € |
| 50+ | 9,890 € |
| 100+ | 9,120 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
13,57 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteS29GL01GT10FHI010
Código de encomenda2768058
Gama de produtos3V Parallel NOR Flash Memories
Também conhecido porSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Ficha técnica
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesCFI, Parallel
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
S29GL01GT10FHI010 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 45nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- VIO=VCC=2.7- 3.6V(high address sector protected), 100ns random access time
- CFI parallel interface
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 2048byte OTP array w/ 4 lockable region
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm, industrial temperature range from -40 to 85°C
Especificações Técnicas
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallel
No. of Pins
64Pins
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.009215
Rastreabilidade de produtos