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IXFN132N50P3
MOSFET Transistor, N Channel, 112 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN132N50P3
Código de encomenda2674760
Gama de produtosPolar3 HiPerFET
Ficha técnica
Já não existe em stock
Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN132N50P3
Código de encomenda2674760
Gama de produtosPolar3 HiPerFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.5kW
Power Dissipation1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiPerFET
SVHCLead (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
Aplicações
Medical
Avisos
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Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
112A
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.5kW
Product Range
Polar3 HiPerFET
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:United States
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:United States
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.03