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MT25QL512ABB8E12-0SIT
Flash Memory, Serial NOR, 512 Mbit, 128M x 4bit, SPI, TBGA, 24 Pins
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FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT25QL512ABB8E12-0SIT
Código de encomenda3530751
Gama de produtos3V Serial NOR Flash Memories
Ficha técnica
205 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 6,320 € |
| 10+ | 5,880 € |
| 25+ | 5,700 € |
| 50+ | 5,570 € |
| 100+ | 5,430 € |
| 250+ | 5,260 € |
| 500+ | 5,130 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT25QL512ABB8E12-0SIT
Código de encomenda3530751
Gama de produtos3V Serial NOR Flash Memories
Ficha técnica
Flash Memory TypeSerial NOR
Memory Density512Mbit
Memory Configuration128M x 4bit
InterfacesSPI
IC Case / PackageTBGA
No. of Pins24Pins
Clock Frequency Max133MHz
Access Time-
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Serial NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Descrição geral do produto
MT25QL512ABB8E12-0SIT is a 3V, multiple I/O, sector erase, high-performance multiple input/output serial NOR flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual, and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for READ and PROGRAM operations.
- Voltage range from 2.7 to 3.6V, 512Mb (64MB) density, 1 die/1 S# stack, 2nd generation
- Die Rev. B, RESET# and HOLD# pin configuration, 64KB sectors, 4KB and 32KB sub-sectors size
- Standard default security
- SPI-compatible serial bus interface, single and double transfer rate (STR/DTR)
- 133MHz (MAX) for all protocols in STR, 90MHz (MAX) for all protocols in DTR
- Dual/quad I/O commands for increased throughput up to 90MB/s
- Extended I/O protocol, dual I/O protocol, quad I/O protocol, minimum 100,000 ERASE cycles per sector
- Execute-in-place (XIP), PROGRAM/ERASE SUSPEND operations, data retention: 20 years (TYP)
- Volatile and non-volatile configuration settings, software reset, reset pin available
- 24-ball T-PBGA package, operating temperature range from -40°C to +85°C
Especificações Técnicas
Flash Memory Type
Serial NOR
Memory Configuration
128M x 4bit
IC Case / Package
TBGA
Clock Frequency Max
133MHz
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
512Mbit
Interfaces
SPI
No. of Pins
24Pins
Access Time
-
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:United States
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:United States
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002268